STM32、GD32、ESP32 的区别

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前言 

STM32：意法半导体在 2007 年 6 月 11 日发布的产品，32位单片机。

GD32：兆易创新 2013 年发布的产品，在芯片开发、配置、命名上基本模仿 STM32，甚至 GPIO 和 STM32 都是 pin to pin 的，封装不改焊上去直接用。有时候 STM32 的源码不修改，重新编译烧写到 GD32 上就可以跑。当然也有很多不同，比如串口驱动、USB 、库文件等。

ESP32：乐鑫公司 2017 年开发的产品，和 STM32、GD32 不同，ESP32 主要面向物联网领域，支持功能很多，但引出 GPIO pin 脚很少，因此大多数 GPIO 都有很多复用功能。出厂就集成蓝牙、WiFi 等物联网必备功能，板子也很小，适合物联网。

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GD32 和 STM32 的区别

GD32 是国产单片机，据说开发人员来自ST公司，GD32 也是以 STM32 作为模板做出来的。所以 GD32 和 STM32 有很多地方都是一样的，不过 GD32 毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用 STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。不同的地方如下：

1、内核

GD32 采用二代的 M3 内核，STM32 主要采用一代 M3 内核，下图是 ARM 公司的 M3 内核勘误表，GD 使用的内核只有 752419 这一个 BUG。

2、主频

使用HSE(高速外部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M

使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M

主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD 是一个不错的选择。

3、供电

外部供电：GD32 外部供电范围是 2.6~3.6V，STM32 外部供电范围是2.0~ 3.6V或1.65~ 3.6V。GD 的供电范围比 STM32 相对要窄一点。

内核电压：GD32 内核电压是 1.2V，STM32 内核电压是 1.8V。GD 的内核电压比 STM32 的内核电压要低，所以 GD 的芯片在运行的时候运行功耗更低。

4、Flash差异

GD32 的 Flash 是自主研发的，和 STM32 的不一样。

GD Flash 执行速度：GD32 Flash 中程序执行为 0 等待周期。

STM32 Flash 执行速度：ST 系统频率不访问 flash 等待时间关系：0 等待周期，当 0