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耐心的小黑

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Vivado 双口RAM IP核的使用

耐心的小黑 发布时间:2020-10-22 11:33:12 ,浏览量:0

2021.6.6 更新: 在另一个项目中使用伪双口RAM时,发现自己之前有部分内容理解错了。先总结如下:

  • 如果端口选择始终使能,那么A端口有个wea信号,用来控制写入;而B端口没有web信号,所以只要有地址就往外读取数据。
  • 如果端口没有选择始终使能,那么两个端口分别会多一个enaenb信号,A端口通过weaena同时控制,相与结果为1就写入;B端口只有一个enb信号,为高读出,为低不读。
一、双口RAM介绍

双口RAM(dual port RAM)在异构系统中应用广泛,通过双口RAM,不同硬件架构的芯片可以实现数据的交互,从而实现通信。例如,一般情况下,ARM与DSP之间的通信,可以利用双口RAM实现,ARM通过EBI总线连接到双口RAMA口,DSP通过EMIF总线(也可以是uPP总线,取决于速度需求)连接到双口RAMB口,两者对同一块存储区域进行操作,即可实现两者的数据交互。

但是,因为双口RAMA口和B口都可以对相同的内存地址进行操作,这就引出了一个问题—假如通信双方在两个端口对同一地址同时读写,就会引发冲突。要解决这个问题,办法有二。

  • 一是通信双方在时序上保证不会同时读写同一地址,将ARM和DSP可写地址范围进行分区,无论任何一方写完数据后都通过IO发送中断通知对方,对方进行数据读取(乒乓RAM操作),这样是比较可靠的;
  • 另外一个办法就是在FPGA里设置写busy信号,实现两端写同步。

FPGA中,构建双口RAM可以通过两种方法,一种是利用distributed RAM构建,另一种是利用Block RAM构建。简而言之,Block RAM是使用FPGA中的整块双口RAM资源,而distributed RAM则是用FPGA中的逻辑资源拼凑形成的。一般的原则是,较大的存储应用,建议用Block RAM;零星的小RAM,一般就用distributed RAM

二、RAM IP核的生成和配置

在这里插入图片描述 在这里插入图片描述 block RAM有三种:单口RAM、伪双口RAM和真双口RAM。

  • 单口RAM只有一个端口(A端口),可以对A端口进行读写。
  • 伪双口RAM有两个端口(A和B端口),但是A端口只能进行写入操作,不能进行读出操作,而B端口则只能进行读出操作,不能进行写入操作。
  • 真双口RAM有两个端口(A和B端口),A和B端口都能进行读写操作。

我们上面选择的是伪双口RAM。

在这里插入图片描述

关于输入端口A的 Operating Mode选项,具体可以参考下面这篇文章:

https://blog.csdn.net/lyfwill/article/details/89355012

  • “WRITE_FIRST” 模式,写操作时,输出端口会将当前写的数据输出。
  • “READ_FIRST”模式,写操作时,输出端口会将当前写地址的原数据输出。
  • “NO_CHANGE”模式,写操作时,输出端口会保持原值不变。只有在读操作的过程中输出端口才会变化。

在这里插入图片描述

关于输出端口B的Primitives Output Registers选项:

如果这个选项不勾上,那么正常的情况下,当第一个时钟时送来地址,那么数据会在第二个时钟取好送出RAM。但是当勾上这个选项后,那么数据就会延迟两个时钟,在第三个时钟送出。这是取数据情况下的时序。当存数据时候,那么只需要地址和数据在同一个时钟下即可。

三、实例

以下实例实现的功能是:对于一个已经配置好的,数据位宽为16,深度为512的双口RAM先进行地址递增的写操作,然后紧接着进行地址递增的读操作。其中,读操作比写操作延迟一个时钟周期,也可以避免读写操作同时作用于同一个地址;AB两个口都设置为一直使能,但是需要注意的是输入口A还有一个额外的写使能wea。

1、RTL代码

`timescale 1ns / 1ps
//
module ram_test(
			input clk,		          	//50MHz时钟
			input rst_n	             	//复位信号,低电平有效	
		);

//-----------------------------------------------------------
reg		[8:0]  		w_addr;	   		//RAM PORTA写地址
reg		[15:0] 		w_data;	   		//RAM PORTA写数据
reg 	      		wea;	    	//RAM PORTA使能
reg		[8:0]  		r_addr;	  	 	//RAM PORTB读地址
wire	[15:0] 		r_data;			//RAM PORTB读数据

//产生RAM PORTB读地址
always @(posedge clk or negedge rst_n)
begin
  if(!rst_n) 
	r_addr             
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