一、伪双端口RAM配置
关于创建和配置IP，可以参考我的另一篇文章：Vivado 双口RAM IP核的使用，不同之处只是在于本文使用的伪双端口RAM的写端口和读端口都加了使能信号，也即没有选择始终使能。
这里需要注意的是，如果想要解决读写冲突，也就是当同时读写同一地址时，能读出之前存在该地址的旧数据，也能将要写的新数据正确写入到该地址，那写端口的操作模式一定要选择READ_FIRST或者NO_CHANGE。
如果选择WRITE_FIRST，那么当读写冲突时，读出的数据是此时准备写入的数据，并不是之前存储的数据，这显然不符合逻辑。
1、关于写地址的变化，只需考虑we有效的情况：
- 只写不读时：若FIFO满，则写失败，写地址不变；若FIFO不满，则写一定成功，写地址加1。
- 又写又读时：若FIFO满，读写为同一单元，因读操作只需读取旧数据，所以读写都成功，写地址加1；若FIFO不满，则进行读写操作的是两个不同单元，所以写一定成功，所以写地址也加1。
总结起来，（we有效&&（（re无效&
