从1901年，诺贝尔奖（Nobel Prize）[1]首次颁奖以来，
不难发现半导体领域的科学技术成就，
一直倍受诺贝尔物理学奖的青睐。
01 诺奖圈里的魁首
回顾百年科学史，共颁发了114次诺贝尔物理学奖，其中有9项与半导体紧密相关。
半导体领域的第1个诺贝尔物理学奖成果是1947年半导体晶体管的发明，美国3位科学家伊利诺斯大学J.Bardeen、贝尔实验室W.Brattain和贝克曼仪器公司W.Shockley为此获得1956年诺贝尔物理学奖。半导体领域这9个诺奖为：第一代半导体的4项，第二代半导体4项，以及2014年颁发的第三代半导体1项。
在同一领域两次获得诺贝尔奖的唯有美国伊利诺斯大学物理学家约翰·巴丁（J.Bardeen），他于1956年和1972年两次获得诺奖，成就令世人瞩目。
